中晶創芯半導体
Technology & Manufacturing
CZ法で大口径単結晶シリコンを育成し、結晶寸法、導電型、抵抗率に基づいて工程を管理します。
部品図面から加工代を定め、外径加工、切断、中ぐりでインゴット、チューブ、リングを形成します。
重要寸法、公差、表面状態に合わせて切断、研削、精密加工を行い、納入要件を技術仕様書で確認します。
材料特性、重要寸法、表面状態の検査項目と判定基準を確認し、技術仕様書に従って検査します。
材料形状と輸送要件に応じて洗浄、保護、包装、製品識別を行い、必要な納入書類を準備します。
中晶創芯は半導体エッチング向け大口径シリコンに注力し、単結晶育成、切断、研削、精密加工に至る技術工程を構築しています。
結晶育成
CZ法で単結晶を育成します。直径、導電型、抵抗率範囲、酸素・炭素含有量の要件を確認し、後工程の材料基盤を整えます。
外径加工・成形
図面と後工程の加工代を考慮し、外径加工と切断で所定寸法のインゴットを作ります。中実インゴットとして納入するほか、中ぐり工程へ進めることも可能です。
中ぐり・切断
インゴットを中ぐりしてチューブとし、所定厚さに切断してリング素材を作ります。内外径、肉厚、切断代は仕上げ加工要件と合わせて確認します。
精密加工
部品図面に従って研削・精密加工を行い、寸法公差、平面度、表面粗さを個別に管理します。通常加工面と研磨面の技術要件は図面で区別します。
検査・包装
技術仕様書に従って寸法、電気特性、表面状態、外観を検査し、添付書類と包装を確認します。素材と精密加工品には各々の合意した受入項目を適用します。
2025年に440 mm結晶育成と再投入試験を完了。2026年は36インチホットゾーンと600 mm大口径製品の開発を継続しています。
結晶と生産現場
結晶外観
結晶形状
生産現場
製品形状、寸法図面、導電型、抵抗率、納入要件をご提供ください。
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