中晶創芯半導体
原材料
消耗品
Monocrystalline Silicon Ingot
外径加工、切断、精密加工向けの中実一次加工材料。用途に応じて導電型、抵抗率、幾何寸法、表面状態を技術確認します。
実際の製品写真です。納入寸法と表面状態は図面および技術仕様書に準拠します。
エッチング用シリコン部品の材料仕様
材料種別
単結晶シリコン
主な寸法
450–600 mm(具体的な仕様は技術仕様書で確認)
純度
>8N
導電型
P型(ホウ素) / N型(リン)
抵抗率
<0.02、1–4、60–90 Ω·cm
寸法公差
±0.05 mm 以内
平面度
≤15 μm、高グレード ≤8 μm
表面粗さ
標準 Ra≤0.4 μm、研磨面 Ra≤0.1 μm
製品仕様、検査方法、納入状態は双方が確認した技術仕様書と図面に準拠します。
大口径製品、一貫した技術工程、継続的なプロセス開発に注力しています。直径450 mm製品の安定量産と並行し、600 mmおよびそれ以上の製品の研究開発と工程検証を進めています。
単結晶シリコン結晶から中実、筒状、リング状の素材へ。部品図面に基づいて加工経路と材料要件を決定します。
エッチング部品の図面に基づき、内外径、厚さ、重要な幾何公差を確認します。材料形状に応じて研削・精密加工を行い、技術仕様書に従って検査します。
精密加工
寸法検査
半導体エッチング用シリコン材料 製品ガイド
単結晶シリコン製品紹介
CZ 単結晶育成
材料仕様の確認
図面に基づく加工
検査・納入
大口径単結晶シリコンを中心に、結晶育成と後工程の加工をつなぎます。材料特性、重要寸法、表面状態、検査書類は案件図面と技術仕様書に基づいて確認します。
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