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中晶創芯半導体

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単結晶シリコンインゴット

単結晶シリコンインゴット

外径加工、切断、精密加工向けの中実一次加工材料。

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製品・サービス

新製品画像は形状イメージです。実際の構造と仕様は承認図面に準拠します。

材料仕様

単結晶シリコンインゴット

単結晶シリコンチューブ

単結晶シリコンリング

材料種別

単結晶シリコン

単結晶シリコン

単結晶シリコン

主な寸法

450–600 mm(具体的な仕様は技術仕様書で確認)

450–600 mm(具体的な仕様は技術仕様書で確認)

450–600 mm(具体的な仕様は技術仕様書で確認)

純度

>8N

>8N

>8N

導電型

P型(ホウ素) / N型(リン)

P型(ホウ素) / N型(リン)

P型(ホウ素) / N型(リン)

抵抗率

<0.02、1–4、60–90 Ω·cm

<0.02、1–4、60–90 Ω·cm

<0.02、1–4、60–90 Ω·cm

寸法公差

±0.05 mm 以内

±0.05 mm 以内

±0.05 mm 以内

平面度

≤15 μm、高グレード ≤8 μm

≤15 μm、高グレード ≤8 μm

≤15 μm、高グレード ≤8 μm

表面粗さ

標準 Ra≤0.4 μm、研磨面 Ra≤0.1 μm

標準 Ra≤0.4 μm、研磨面 Ra≤0.1 μm

標準 Ra≤0.4 μm、研磨面 Ra≤0.1 μm

製品仕様、検査方法、納入状態は双方が確認した技術仕様書と図面に準拠します。


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