沿革
Development Path
技術開発の主な歩み
2023.09
北京中晶創芯半導体科技有限公司を設立。
2025.02
CZ 法により直径 440 mm の単結晶シリコンロッドの育成に成功。
2025.08
2025年8月20日、結晶育成の再投入試験に成功。会社資料によると、1炉当たりの育成効率が25%以上向上し、シリコン原料以外の育成コストが低減しました。
2026.02
2026年2月28日、36インチホットゾーンの試験を完了。会社資料には530規格以下の製品を育成できることと、工程が安定した条件下で歩留まり42%に達する試験条件が記載されています。
2026.04
直径 600 mm 製品の技術開発を開始。
出典：北京中晶創芯半導体科技有限公司『会社概要』。
大口径単結晶シリコンの開発を推進
大口径製品、一貫した技術工程、継続的なプロセス開発に注力しています。直径450 mm製品の安定量産と並行し、600 mmおよびそれ以上の製品の研究開発と工程検証を進めています。