技术与制造
Technology & Manufacturing
大直径单晶硅的制造路径
中晶创芯聚焦半导体刻蚀端大直径硅材料，建立从长晶到机加工的技术链条，覆盖单晶生长、切割、研磨与精密加工。
制造工艺
晶体生长
采用 CZ 直拉法开展单晶生长。根据目标材料确认晶体直径、导电类型、电阻率区间及氧碳含量要求，为后续加工建立材料基础。
定径成形
结合图纸和后续工序预留加工余量，通过定径与截断获得所需尺寸的硅锭。实心硅锭可作为交付形态，也可继续进入掏孔工序。
掏孔切割
对硅锭进行掏孔形成硅筒，再按目标厚度截断形成硅环毛坯。内外径、壁厚与切割余量应和后续精加工要求一并确认。
精密加工
按部件图纸进行研磨和精密加工，分别控制尺寸公差、平面度与表面粗糙度。普通加工面和抛光面的技术要求需在图纸中区分。
检验包装
按技术协议检查尺寸、电学性能、表面状态和外观，并确认随货文件与包装方式。对毛坯和精加工件采用各自约定的验收项目。
工艺研发与技术进展
2025 年完成 440 mm 晶体拉制与长晶复投料工艺试验。2026 年继续开展 36 寸热场和 600 mm 大直径产品的技术研发。
晶体与生产现场
晶体与生产现场
晶体外观
晶体形态
生产现场
技术咨询与定制需求
请提供产品形态、尺寸图纸、导电类型、电阻率与交付要求。